صف ZhenAn بإيجاز العوامل التي تؤثر على معدل ترسيب الطلاء المستهدف؟

وصف ZhenAn بإيجاز العوامل التي تؤثر على معدل ترسيب الطلاء المستهدف؟

الرش المغنطروني هو طريقة ترسيب بخار فيزيائية يمكنها ترسيب مجموعة متنوعة من المواد، بما في ذلك المعادن والسبائك والسيراميك، باستخدام مجال مغناطيسي مُشكل خصيصًا يتم تطبيقه على هدف رش الصمام الثنائي. يعد معدل الترسيب، أو معدل تكوين الفيلم، معلمة أساسية لقياس كفاءة آلة رش المغنطرون. تؤثر العديد من العوامل على معدل الترسيب، بما في ذلك نوع الغاز العامل، وضغط الغاز العامل، ودرجة حرارة هدف الاخرق، وقوة المجال المغناطيسي. ثلاثة عوامل رئيسية تؤثر على معدل ترسيب الطلاءات الهدف الاخرق المغنطرون: الاخرق الجهد، والتيار، والطاقة.

الاخرق الجهد
تأثير الجهد الاخرق على معدل تشكيل الفيلم يتبع نمطا: كلما زاد الجهد، كلما كان معدل الاخرق أسرع، وهذا التأثير تدريجي وتدريجي ضمن نطاق الطاقة المطلوبة لترسيب الاخرق. من بين العوامل التي تؤثر على معامل الاخرق، الهدف الاخرق والتيار الاخرق هي الأكثر أهمية. بعد الغاز، فإن جهد التفريغ مهم بالفعل. بشكل عام، أثناء رش المغنطرون الطبيعي، كلما ارتفع جهد التفريغ، زاد معامل الرش، مما يعني أن الأيونات الساقطة لديها طاقة أعلى. ونتيجة لذلك، فإن ذرات الهدف الصلب تتناثر بسهولة أكبر وتترسب على الركيزة لتشكل طبقة رقيقة.

الاخرق الحالي
يتناسب تيار الاخرق لهدف المغنطرون مع التيار الأيوني على السطح المستهدف، وبالتالي فهو عامل رئيسي يؤثر على معدل الاخرق. القاعدة العامة للرش بالمغنطرون هي أن معدل الترسيب يكون أسرع عند ضغط الغاز الأمثل (والذي يختلف اعتمادًا على المادة المستهدفة ومشروع الرش). لذلك، دون المساس بجودة الفيلم وتلبية متطلبات العملاء، يكون ضغط الغاز الأمثل مناسبًا بناءً على إنتاجية الرش. هناك طريقتان لتغيير تيار الاخرق: عن طريق تغيير جهد التشغيل أو ضغط غاز التشغيل.

قوة الاخرق إن تأثير قوة الاخرق على معدل الترسيب يشبه تأثير جهد الاخرق. بشكل عام، زيادة قوة الاخرق لهدف المغنطرون يمكن أن يزيد من معدل تكوين الفيلم. ومع ذلك، هذه ليست قاعدة عالمية. عندما يكون جهد الاخرق لهدف المغنطرون منخفضًا (على سبيل المثال، حوالي 200 فولت) ويكون تيار الاخرق كبيرًا، على الرغم من أن متوسط ​​قوة الاخرق ليس منخفضًا، لا يمكن تناثر الأيونات ولا يمكن ترسيبها. الشرط الأساسي هو أن يكون جهد التخرق المطبق على هدف المغنطرون مرتفعًا بدرجة كافية بحيث تكون طاقة أيونات الغاز العاملة في المجال الكهربائي بين الكاثود والأنود أكبر بما يكفي من "عتبة طاقة التخرق" للهدف.